深圳市华科智源科技有限公司
可测参数: Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等 测试频率:1MHz 测试电压范围:Vds 0~1200V,Vgs ±25V信号电压范围:1mV~1000mV Rg 范围:≤300Ω测试精度:0.01pf 华科智源栅较电阻/栅较电容测试仪特点: 1,测试速度快。 2,可点测和扫描曲线。3,测试精度高,测试结果稳定精准。4,可随时保存数据和波形,可直接生成规格书用的图片或 CSV 描点文件。
可测参数: Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试
可测器件: IGBT,二极管,氮化镓、碳化硅 MOSFET 等
测试频率:1MHz
测试电压范围:Vds 0~1200V,Vgs ±25V
信号电压范围:1mV~1000mV
Rg 范围:≤300Ω
测试精度:0.01pf
华科智源栅较电阻/栅较电容测试仪特点:
1,测试速度快。
2,可点测和扫描曲线。
3,测试精度高,测试结果稳定精准。
4,可随时保存数据和波形,可直接生成规格书用的图片或 CSV 描点文件。